EPC8009

功能描述:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE

制造商:epc

系列:eGaN?

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):65V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.7A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 500mA,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.45nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):52pF @ 32.5V

功率 - 最大值:-

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:模具

供应商器件封装:模具

标准包装:1

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